你對CeYAG晶體了解多少呢？和小編一起來看看吧，CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，除了高能射線探測成像應用外，在高能物理與核物理實驗、安檢、醫(yī)療等領域有重要應用。CeYAG晶體是立方結構，并且很容易制造出透明的對 稱性很好的該晶體，非常適合用于白光LED的制造。CeYAG單晶制備工藝復雜，難以制備大尺寸，高摻雜濃度等缺點，限制了其應用。由于YAG具有立方相晶體結構，具有光學均勻性，無雙折射效應等特征。再是晶體狀態(tài)，這表明光纖拉制過程中芯棒與套管之間存在擴散現(xiàn)象.光纖在314nm光泵浦的情況下，產生約67nm(FWHM)光譜寬度的熒光輻射。閃爍晶體可用于輻射探測和安全防護。黑龍江國產CeYAG晶體廠家直銷

通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強度從零瞬開始增加，并達到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當用一階動力學處理時)，晶體生長的適宜溫度場主要通過選擇和調整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對位置來獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。結晶完成后，晶體在爐內原位退火，待爐內溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經常與坩堝粘結，導致出坩堝取晶體時晶體下部邊緣開裂。整個晶體內部質量完好無損黑龍江國產CeYAG晶體廠家直銷Ce:YAG閃爍晶體響應小，光衰減快。

采用提拉法生長CeYAG單晶，通過X射線衍射和激發(fā)發(fā)射光譜對其晶相結構和光譜特性進行了表征，研究了CeYAG單晶封裝白光LED的較佳摻雜濃度.在455 nm藍光激發(fā)下，CeYAG單晶的發(fā)射光譜可由中心波長526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的寬發(fā)射帶(500650 nm)組成激發(fā)光譜由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2個激發(fā)峰組成Stokes位移為2448cm-1，Huang-Rhys因子為6.12.研究結果表明，CeYAG單晶中Ce離子摻雜濃度與封裝的白光LED之間有對應關系，在650nm紅粉調節(jié)下Ce離子較佳摻雜濃度范圍為0.0340.066。

高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領域無機閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價格也是一個重要指標，Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？有效原子序數(shù)和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(shù)(Zeff)和密度直接或間接決定了輻射與物質的相互作用機制和輻射的阻擋能力。在X射線或低能射線探測領域，為了增加射線的光電效應截面，往往需要閃爍晶體具有較大的有效原子序數(shù)Zeff，而在高能射線應用領域，則需要有較高的密度來提高晶體的截止能量。無機閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉化為紫外光或可見光的晶體能量轉換器。

我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 ，高純 Ar 氣氛，具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1，生長的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發(fā)熱體質量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經過高溫空氣退火 24 小時后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經再次空氣退火可完全消除。由應力儀下觀察的結果來看，晶體中無明顯應力，也沒有因小面生長現(xiàn)象而產生的**，說明晶體生長過程中固液界面較平。從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。黑龍江國產CeYAG晶體廠家直銷

無機閃爍晶體晶體應用很廣，可用在核醫(yī)學成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)。黑龍江國產CeYAG晶體廠家直銷

白光LED用CeYAG單晶光學性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長了白光LED用CeYAG單晶，通過吸收光譜、激發(fā)發(fā)射光譜和變溫光譜對其光學性能和熱穩(wěn)定性進行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波長的藍光有效激發(fā)，產生500~700 nm范圍內的寬發(fā)射帶。Ce3+的4f→5d軌道的躍遷吸收對應于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五個吸收峰，據(jù)此量化分裂的5d能級能量，依次為21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。溫度升高，Ce3+的2F7/2能量升高導致了發(fā)光強度的降低，可降低幅度(13.28%)不大。黑龍江國產CeYAG晶體廠家直銷

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